RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
3317
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link