RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
4095
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link