RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2188
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link