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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
46
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
39
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2188
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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