RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
74
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
74
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
1616
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link