RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
23
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3004
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link