RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
61
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,670.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,529.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
517
2554
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link