RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
66
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,167.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,885.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,167.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
284
3110
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DMT451E6BFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link