RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
50
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
50
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
3277
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link