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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
50
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
50
读取速度,GB/s
5,987.5
17.2
写入速度,GB/s
2,160.7
13.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3277
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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