RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
43
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
36
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
3001
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link