RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2672
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link