RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2664
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link