RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
50
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3821
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link