RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
50
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3821
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link