RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3384
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link