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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
50
Intorno -163% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
19
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3821
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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