RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
50
Rund um -163% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
17.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3821
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link