RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
77
Intorno -114% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
36
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2664
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link