RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
35
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
3090
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link