RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
3098
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link