RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
3317
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link