RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
2379
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link