RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Porównaj
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wynik ogólny
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
66
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,892.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
66
Prędkość odczytu, GB/s
6,181.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,892.9
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
851
1934
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link