RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,475.5
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8800
Wokół strony 1.93 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
17000
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
4202
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link