RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,475.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
56
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8800
Wokół strony 2.91 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
25600
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
3073
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link