RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2196
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link