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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2196
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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