RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
30
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2196
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link