RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
56
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
2,475.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8800
Wokół strony 2.18 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
19200
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
1851
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link