RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Porównaj
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Wynik ogólny
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
5.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.4
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1370
4065
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link