RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Vergleichen Sie
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Gesamtnote
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Gesamtnote
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
5.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
17.8
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1370
4065
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KX830D-HYC 4GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link