RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
81
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,475.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8800
Wokół strony 2.18 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
81
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
19200
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
1651
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link