RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,475.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
56
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8800
Wokół strony 2.91 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
55
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
25600
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
2701
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link