RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1976
3465
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link