RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3412
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link