RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1976
2426
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link