RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3041
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link