RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1976
2110
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link