RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2266
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link