RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
30
Velocità di lettura, GB/s
16.1
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2266
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link