RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
43
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1976
2615
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link