RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
75
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3729
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link