RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3100
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link