RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
57
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
24
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2581
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link