RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
57
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3085
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link