RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
57
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
17
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3714
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link