RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
57
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
34
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
8.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2079
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link