RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
57
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
19
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3220
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link