RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
57
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
19
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3220
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link