RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
49
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2908
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link